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北京大学彭练矛教授12月18日上午学术报告
发布时间:2018-12-14 点击:35

报告人:彭练矛 教授(北京大学)

报告题目:2020年之后的电子学:碳基电子的机遇与挑战

报告时间:20181218日(星期二)上午9:30

报告地点:909-B


摘要:

随着硅基微电子器件尺度进入深亚微米后,后摩尔时代非硅电子学的发展备受瞩目。国际半导体技术路线图(ITRS)委员会2005年明确指出硅基CMOS技术将在2020年左右达到其性能的绝对极限。在可能的下一代技术中,ITRS委员会基于其新材料和新器件工作组的系统研究和推荐,2009年明确向半导体行业推荐碳基电子学,作为可能在未来10-15年显现商业价值的下一代电子技术,并给出了详尽的路线图和碳纳米管材料挑战。面向后摩尔时代,北京大学于1999年组建了碳基纳电子材料与器件研究团队。经过近二十年的努力,该团队在碳基电子器件相关材料和制备工艺的研究中取得系列突破,基本解决了ITRS给出的碳管材料挑战,发展了一整套碳管CMOS集成电路和光电器件的制备新技术,成为下一代信息处理技术强有力的竞争者;其核心为放弃掺杂,通过控制电极材料达到选择性地向晶体管注入电子或空穴,实现晶体管极性的控制,并首次制备出高性能对称碳管CMOS电路。2017年,首次基于碳管实现了栅长为5纳米的CMOS器件,证明器件在本征性能和功耗综合指标上相对硅基器件具有10倍以上的综合优势,并接近由量子测不准原理决定的电子器件理论极限。该团队的上述工作,2015年被Nature Index China选做北京的代表性创新工作之一,称其代表着计算机处理器的未来2017年又被选为封面文章《中国的蓝芯未来》重点报道。《人民日报》(海外版)在《中国芯走出自强路》专文中评价该团队碳管晶体管的工作是中国信息科技发展的一座新里程碑


个人简历:

彭练矛,北京大学教授。1982年毕业于北京大学无线电电子学系。1983年通过李政道先生主持的CUSPEA计划赴美, 于亚利桑那州立大学美国高分辨电子显微学中心师从J.M. Cowley教授, 1988年获博士学位。1989年至英国牛津大学, M.J. Whelan 教授的研究助手。1990年被选为牛津大学Glasstone Fellow,国际电子显微学会联合会Presidential Scholar1994年底回国,获首届国家杰出青年科学基金资助。1999年被北京大学聘为教育部首批长江学者奖励计划特聘教授。主要研究领域为纳米结构、物性和相关器件。四次担任国家973计划和重点研发计划项目首席科学家,发表SCI论文400余篇,被引14000余次,相关工作分获2010年度和2016年度国家自然科学二等奖;2000年度2017年度“中国高等学校十大科技进展”;2000年度“中国基础科学研究十大新闻”和2011年度“中国科学十大进展”;13次被写入《国际半导体技术发展路线图》,为我国在此高技术领域抢占一席之地做出了重大贡献。


责任编辑:杨娟




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