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Steffen Duhm
教授、博士生导师

  


       2004年获得德国柏林洪堡大学物理学院理学硕士学位,2008年获得德国柏林洪堡大学物理学院博士学位;2008-2012年在日本千叶大学Advanced Integration Science从事博士后研究工作。20126月加入苏州大学功能纳米与软物质研究院,被聘为特聘教授,博士生导师。20129月入选中组部第三批“青年千人计划”。

 

电话0512-65880371

邮箱duhm@suda.edu.cn

 

研究方向:

        主要利用角分辨紫外光电子能谱仪(ARUPS)从事有机/无机和有机/有机功能杂化界面研究:

1)与界面相关的能级排列还未阐释的足够清晰,电荷注入仍是困扰光电器件(发光二极管、太阳能电池)高效率的障碍;

2)单层共轭有机分子在金属基底的形成机制对界面的电子结构起着至关重要的作用。键长及吸附作用引起的构造变化可以通过基于X射线驻波(XSW)的同步回旋加速器测量。通过结合ARUPSXSW技术,我们可以得到详细的界面能级结构,并可以改变有机/金属的界面;

3)电荷在微观无序有机薄膜传输时常出现非相干跳跃过程,可通过高分辨的ARUPS检测手段,推导电荷的结合能和极化子束缚能,并利用第一性原理计算跳跃迁移率。对于高度有序的(晶体的)有机薄膜,由于载流子的非局域特性,载流子传输出现相干带间传输现象;

4)基于同步激光辐照,可利用ARUPS获得有机单晶材料的能带结构;

5)通过与其他研究组合作,将我们在典型界面研究的成果推广到实际的有机器件,从而实现更高效率的光电器件

 

代表性成果与论文:

        研究成果已发表SCI收录论文39篇,包括Nat. Mater., Phys. Rev. Lett., Adv. Mater., J. Am. Chem. Soc., Appl. Phys. Lett.等。发表论文被他人引用超过800余次,H-指数为16。以下为近期的研究工作:分子取向对有机薄膜电离能的影响,界面能量和吸附形态的关联性,阐明跳跃传输的空穴振动耦合。

 

1. S. Duhm, Q. Xin, S. Hosoumi, H. Fukagawa, K. Sato, N. Ueno, S. Kera, Adv. Mater. 2012, 24, 901.


2. Q. Xin, S. Duhm, F. Bussolotti, K. Akaike, Y. Kubozono, H. Aoki, T. Kosugi, S. Kera, N. Ueno, Phys. Rev. Lett. 2012, 108, 226401.


3. S. Duhm, A. Gerlach, I. Salzmann, B. Bröker, R. L. Johnson, F. Schreiber, N. Koch, Org. Electron. 2008, 9, 111.


4. S. Duhm, G. Heimel, I. Salzmann, H. Glowatzki, R. L. Johnson, A. Vollmer, J. P. Rabe, N. Koch, Nat. Mater. 2008, 7, 326.


   5. N. Koch, S. Duhm, J. P. Rabe, A. Vollmer and R. L. Johnson, Phys. Rev. Lett. 2005 95, 237601.




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