仲亚楠 教授

学术经历

2025. 10至今，苏州大学功能纳米与软物质研究院，教授

2021. 10—2025.10，苏州大学功能纳米与软物质研究院，副教授

2019. 09—2021. 09，清华大学集成电路学院，博士后

学习经历

2014. 09—2019. 06，苏州大学功能纳米与软物质研究院，博士

2010. 09—2014. 06，苏州大学纳米科学技术学院，学士

联系方式

苏州大学独墅湖校区，909号楼202室

邮箱：ynzhong@suda.edu.cn

所在课题组：王穗东教授课题组

个人荣誉

荣获中国新锐科技人物：闪耀潜力奖（2022）

荣获江苏省“双创博士”资助（2022）

入选苏州大学“优秀青年学者”（2021）

主要研究方向

主要致力于从事神经形态器件与系统相关的研究，包括：新型忆阻器的设计与制备、基于忆阻器的人工神经网络、全硬件储备池计算系统、深度物理神经网络、类脑计算架构设计与系统集成等。

主要研究成果

近年来，在新型神经形态器件与类脑计算等领域开展了深入的研究，尤其致力于探索非易失性忆阻器、动态忆阻器等新型存储器件在人工智能方面的应用，在器件和系统层面均取得了重要的创新成果。

在器件层面，实现了基于IGZO/PVA异质结的混合型动态忆阻器（Appl. Phys. Lett., 2022），具有极高的可靠性以及模拟阻值变换能力。在有机忆容器及其神经形态计算方面也取得了初步进展（ACS Appl. Mater. Interfaces, 2024；Microelectron. Eng., 2025）。

在系统层面，首次提出并行延时耦合储备池计算架构（Nat. Commun., 2021），并基于该架构成功集成动态和非易失性忆阻器实现全模拟储备池计算硬件系统（Nat. Electron., 2022），在时序信号处理任务中平均识别准确率达97.9%，较传统数字系统功耗低3个数量级以上，目前已是高被引论文。首次提出基于旋转神经元的新型储备池计算硬件架构（Nat. Commun., 2022），开创性地将环形储备池的计算过程等效为物理神经元的旋转过程。

自2014年以来以第一作者/共同第一作者/通讯作者在Nat. Electron., Nat. Commun., Adv. Funct. Mater., Adv. Electron. Mater., Appl. Phys. Lett., ACS Appl. Mater. Interfaces等高水平期刊发表论文10余篇。入选2025年国家级重点青年人才项目。

主持项目

国家自然科学基金面上项目

国家自然科学基金青年科学基金C类

代表性论文

[1] Zhong, Y. N., Tang J. S., Li X. Y., Liang X. P., Liu Z. W., Li Y. J., Xi Y., Yao P., Hao Z. Q., Gao B., Qian H. & Wu H. Q.* A memristor-based analogue reservoir computing system for real-time and power-efficient signal processing. Nature Electronics 5, 672-681 (2022).

[2] Liang, X. P.#, Zhong, Y. N.#, Tang J. S., Liu Z. W., Yao P., Sun K. Y., Zhang Q. T., Gao B., Heidari H., Qian H. & Wu H. Q.* Rotating neurons for all-analog implementation of cyclic reservoir computing. Nature Communications 13, 1549 (2022).

[3] Zhong, Y. N., Tang J. S., Li X. Y., Gao B., Qian H. & Wu H. Q.* Dynamic memristor-based reservoir computing for high-efficiency temporal signal processing. Nature Communications 12, 408 (2021).

[4] Zhong, Y. N., Wang, T., Gao, X., Xu, J. L. & Wang, S. D.* Synapse-like organic thin film memristors. Advanced Functional Materials 28, 1800854 (2018).

[5] Zhong, Y. N., Gao, X., Xu, J. L., Sirringhaus, H. & Wang, S. D.* UV-gating organic memtransistors with modulable levels of synaptic plasticity. Advanced Electronic Materials 6, 1900955 (2020).

[6] Zhang, Z. D., Zhong, Y. N.*, Shen, C., Huang, H. T., Lu, Z. N., Xu, J. L., Gao, X. & Wang, S. D.* A hybrid memristor with oxide-polymer heterojunction. Applied Physics Letters 121, 191905 (2022).

[7] Lu, Z. N., Ye, J. T., Zhang, Z. D., Cai, J. W., Pan, X. Y., Xu, J. L., Gao, X., Zhong, Y. N.* & Wang, S. D.* Memristor-based input delay reservoir computing system for temporal signal prediction. Microelectronic Engineering 293, 112240 (2024).

[8] Cai, J. W.#, Ye, J. T.#, Zhong, Y. N.#, Zhang, Z. D., Zong, H., Li, L. X., Han, X. E., Xu, J. L., Gao, X., Lee, S. T. & Wang, S. D.* Solution-Processed Polymer Memcapacitors with Stimulus-Controlled and Evolvable Synaptic Functionalities. ACS Applied Materials & Interfaces 16, 47996-48004 (2024).

[9] Xue, F. L., Li, L. X., Zhang, Z. D., Gao, X., Xu, J. L., Zhong, Y. N.* & Wang, S. D.* Organic memcapacitor-based neural network for diverse signal recognition. Microelectronic Engineering 301, 1112395 (2025).

[10] Qian, C., Gao, X.*, Zhang, Z. D., Yin, Z. Y., Zhong, Y. N.*, Xu, J. L. & Wang, S. D.* Organic hysteretic Inverter with biomaterial dielectric for artificial neuronal circuit. IEEE Electron Device Letters 46, 2110 - 2113 (2025).

责任编辑：杨娟