报告人：裴轶博士（苏州能讯高能半导体有限公司）

报告题目：氮化镓射频半导体材料与器件

报告时间：2024年3月31日（星期一）14:00

报告地点：独墅湖校区606楼6210

报告摘要：

氮化镓作为宽禁带半导体，具有高击穿电场、高异质结迁移率、高电子饱和速度、高温稳定性等优异的材料特性，基于此实现的高电子迁移率晶体管（HEMT）具有高频、高效、高功率密度的优异性能，在射频器件和电力电子器件应用领域有突出的优势。本报告将介绍氮化镓半导体材料的基本物理特性以及HEMT电子器件的机理。

个人简介：

裴轶，苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁，正高级工程师。2004年北京大学本科毕业，2009年获加州大学圣巴巴拉分校博士学位。国家重大人才工程-科技创新领军人才，获江苏五四青年奖章、电子学会科技进步二等奖等。国家第三代半导体技术创新中心技术专家委员会委员，第三代半导体联盟标准委员会委员，SEMI China GaN工作组组长。IEEE高级会员，中国电子学会高级会员/青年科学家俱乐部会员，中国电源学会元器件专业委员会委员，苏州大学产业教授，北京大学/中国科学技术大学/西交利物浦大学研究生校外导师。研究兴趣包含氮化镓微波和毫米波器件、氮化镓功率器件及应用、氮化镓材料、工艺、可靠性和非线性模型等。承担和参与多项科技部、工信部、发改委重要核心技术攻关项目，发表和共同发表了100余篇期刊和会议论文，累计申请专利150余项。

联系人：文震 教授